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NTHS5441T1中文资料

NTHS5441T1图片

NTHS5441T1外观图

  • 大小：66.56KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：−20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：- 5.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.046 Ohms
  • 配置：Single Hex Drain
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：ChipFET-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：22 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.3 W
  • 上升时间：22 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：42 ns

NTHS5441T1供应商

更新时间:2023-01-06 21:26:32
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